涉洩前東家技術給中國　三星電子前員工被判刑7年

南韓三星電子一名前員工涉嫌向中國企業洩露半導體技術，22日遭首爾中央地方法院一審判處7年有期徒刑。

韓聯社報導，曾在三星擔任研究人員的全某，與前經理金某一起離職，跳槽至中國半導體企業長鑫存儲。全某涉嫌將三星電子同步動態隨機存取記憶體（DRAM）技術洩露給中方，去年5月被逮捕及起訴。

調查發現，全某以提供涉案技術相關資訊為代價，近6年從長鑫存儲方面共獲利29億韓元（約6178.8萬元台幣），包括合約獎勵3億韓元、價值3億韓元的認股權等。

三星遭外洩的是10奈米級DRAM技術，投入1.6兆韓元（約341億元台幣）研發。

首爾中央地方法院刑事審判第28合議庭認為，被洩露的是國家核心技術，而全某參與洩露過程；此舉將大企業投入鉅額資金研發的關鍵技術資訊外洩，並讓外國單位使用，造成有關企業乃至國家利益受損，應予以嚴懲。